【晶扬电子】——专为5nm工艺IC提供ESD防护
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目前业界最为领先并实现量产的就是5nm FinFET工艺技术。然而，先进的5nm FinFET工艺技术使得器件的各项参数均已接近其物理极限，如极薄的栅氧化层、超浅的源漏结深等，所有这些将会导致芯片更容易受到静电放电(ESD)事件的损伤。
系统厂商在选取用于系统级防护的ESD芯片时将会有更多的考量，除了需要超低容值产品来减小高速信号的损耗和衰减，同时也需要更低的开启电压和钳位电压(Vc)，以保证在外界静电脉冲或者浪涌脉冲到达系统时，ESD芯片能够更加快速的启动响应以及提供更低的钳位保护。
TT0214SP
TT0214SP
此系列三款产品容值低至0.13pf，是业界容值产品之一，在TLP=16Ａ（8KV）时，Vc（钳位电压）≤7.5V，同样可以提供非常出色的静电保护。
深圳市晶扬电子有限公司
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多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE，总部位于香港（香港天微电子有限公司）
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目前晶扬电子致力于半导体工艺的保护器件、MOSFET、二三极管、电源管理IC（LDO，DC-DC）、限流IC以及段码驱动IC的研发与应用
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